PMPB10XNE,115 دیتاشیت

PMPB10XNEZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMPB10XNEZ
حجم فایل 58.319 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت PMPB10XNEZ-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMPB10XNE,115
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.7W;12.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 34nC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2175pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 9A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 14mΩ@9A,4.5V
  • Package: SOT-1220
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه